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PolarHV TM HiPerFET
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXFB 100N50P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
= 500 V
= 100 A
≤ 49 m ?
≤ 200 ns
Fast Intrinsic Diode
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
PLUS264 TM (IXFB)
V DSS
V DGR
V GSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
500
500
± 30
V
V
V
V GSM
I D25
I DRMS
I DM
Transient
T C = 25 ° C
External lead current limit
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
± 40
100
75
250
V
A
A
A
G
D
G = Gate
S
D = Drain
(TAB)
I AR
E AR
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
100
100
5
A
mJ
J
S = Source
Features
TAB = Drain
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
20
1250
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V/ns
W
° C
° C
° C
l
l
l
l
International standard packages
Fast recovery diode
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
300
260
° C
° C
Advantages
F C
Weight
Mounting force
30..120/7.5...2.7
10
N/lb
g
l
l
Plus 264 TM package for clip or spring
Space savings
l
High power density
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 3 mA
500
V
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 8 mA
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
3.0
5.0
± 200
25
2000
V
nA
μ A
μ A
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25 , Note 1
49
m ?
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99496E(01/06)
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相关PDF资料
IXFB100N50Q3 MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
IXFB120N50P2 MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
IXFB170N30P MOSFET N-CH TO-264
IXFB210N20P MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264
IXFB30N120P MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
IXFB38N100Q2 MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
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IXFB44N100P MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
相关代理商/技术参数
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IXFB110N60P3 功能描述:MOSFET 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB120N50P2 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB132N50P3 功能描述:MOSFET 500V 132A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB170N30P 功能描述:MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB210N20P 功能描述:MOSFET 210 Amps 200V 0.0105 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB210N30P3 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB300N10P 功能描述:MOSFET POLAR PWR MOSFET 100V, 300A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube